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                                                                                             Wels, am 2010-11-22

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 Hauptordner    9. Allgemein&Diverses    2. Buecher-ISBN    3. Elektronik / Elektrotechnik

datasheet4u	Datenblatt-Sammlung: 800,000's PDF IC DataSheets, kostenlos, nicht kommerziell
NTE Electronics Inc.	TransistorCross Reference Database, Transistor-Vergleichstabelle, Cross ReferenceSearch, Semiconductors - Relays - Potentiometers - Trimmers - Switches- Resistors - Transformers - RF Connectors - Fuses - Clips & TestLeads

Transistor Dictionary, Bipolar Transistors

BUCH, Transistor Dictionary, Bipolar Transistors, Datenvergleichstabellen, Autor: Michael Welter, IWT-Verlag GmbH, 1. Auflage, 1996, ISBN: 3-88322-486-3, wie der Titel schon ausdrückt ist dieses Buch ein Nachschlagewerk für die wichtigsten Daten von bipolaren Silizium-Transistoren (und nur solchen). Diese sollten ausreichen um entweder geeignete Transistoren für bestimmte Anwendungen auszuwählen oder um Vergleichstypen zu finden. Aufgenommen wurden die Daten der wichtigsten Transistorhersteller aus Europa, Japan und den USA.

ee.washington.edu	cross reference transistor, cross reference 1N4004,
Elektron-bbs .de	Vergleichsliste DDR-Halbleiterbauelemente Transistoren,
ELKO .de	einfacheTransistor-Vergleichstypen / Vergleichstabelle, dieTransistor-Vergleichsdatenbank enthält alle Vergleichstypen einesTransistors und zeigt diese auf Anfrage an.
1) ICMaster ( Electronic /Integrated Circuits)	ICMaster online, IC-Master Vergleichstabellen für Halbleiter im Internet,der IC-Master hat 135.000 ICs von 300 Herstellern katalogisiert, wobeizu 90.000 ICs Daten gespeichert sind, es gibt ihn als 3-bändigen Wälzer
Tonband	einfache Transistordaten Vergleichstabellen, Transistor Vergleichstabellen, www.tonband.net/tech_trans.php,
3) IWT-Verlag  heute WIN-Verlag	iwt-Datenbuch, 74LOGIC-Dictionary TTL und CMOS - - CMOS-Taschenbuch 1 und 2 - -Linear-IC-Taschenbuch 1 ..3 - - TTL-Taschenbuch 1 . . 3 (alle Büchleinvorhanden)

2) ECA = vtr Datenbuch	Transistor Cross Reference Database, Transistor-Vergleichstabellen - - die Firma ECA ist der führende Fachverlag für Informationen über Halbleiter aller Art in Daten- und Vergleichstabellen, egal ob in Buchform, als DVD/ CD-ROM Anwendung oder im Internet, seit 1980, ohne dies Tabellen kann heute kein Techniker vernünftig und rationell arbeiten,
e-online .de	Transistor-Vergleichsdatenbank
ECA-electronic	Transistor Cross Reference Database, Transistor-Vergleichstabellen online, vrt-Vergleichstabellen,
ECA Semiconduktor	Transistor Cross Reference Database, Transistor-Vergleichstabellen, Halbleiter-Datenbücher, vrt-Vergleichstabellen für Transistoren, Technische-Daten von Halbleitern, ermittelt Vergleichstypen, Datenbanken mit insgesamt mehr als 1.000.000 Bauteilen aus allen Bereichen der Halbleitertechnologie, www.ECADATA.de Datenbanken, nach Bauteilen suchen und Vergleichstypen ermitteln, Original Datenblätter im *.PDF Format und zu Teil auch Daten zur Schaltungssimulisation wie IBIS und SPICE Module, kosteten EUR 99,-/a www.ecadata.de/, http://www.eca-electronic.de/,
ECA vrt-Vergleichstabellen	Vergleichstabellen vrt für Transistoren, ICs (ECA) - - vrt Vergleichstabelle für Transistoren, Dioden, Thyristoren und IC's,
ECA Datenbank Elektronik-Bauteile	Lineare ICs, Datenbank und Vergleichstabelle für Operationsverstärker, Spannungskomparatoren, lineare Spannungsstabilisatoren, integrierte Festspannungsregler, einstellbare und zweipolige Spannungsregler, Analogschalter und Multiplexer mit Grenz- und Kenndaten, Innenbeschaltungen, Gehäusemaßzeichnungen, Anschlussbelegungen und Herstellern,
ECA Semiconduktor	ECA M.Bergler, Fodermayrstr. 24, D-80993 München, die Buchreihe umfaßt über 180.000 Typen mit mehr als 220.000 Vergleichstypen.
ECA Data,	Elektronik-Bauelemente-Übersicht
DIAC	Diacs auch nicht, weil deren Zündspannung meist bei 30..35V liegt.
SSR = Solid State Relay	Halbleiter-Relais mit Optokoppler
5-Schicht-TriggerDiode (Fünfschicht-Diode)	ZweirichtungsThyristorDiode, fünfschichtiger DIAC,
Fototransistor	_1 BP101/2 - - - _2 BPY61/2 - - - _3 FPT100 - - -
Feldeffekt-Transistoren, Sperrschicht-FET, p-Kanal	Unipolare Transistoren, J-FET, Junction-FET, _1 2N3820 S2540 p-Kanal - - -  (STAND 1989)
PUT (programmierbarer UJT) Thyristor-Tetrode	PUT=programmable unijunction-transistor) mit 4-Anschlüssen, Thyristortetrode, Silizium pnpn Planar-Thyristor-Tetrode (tetra=4, Vierschichtdiode) _1 BRY39, 70V, 175mA, 275mW, K-Gk-Ga-A, TO-72 - - - _2 BR101 oder BRY39 oder T3N100, BR101 - - - _3 2N6027 2N6028 - - - _4 2N6116 2N6117 2N6118 2N6119 2N6120 - - - _5 2N6137 2N6138 - - - _6 555BRY - - - _7 AST6027 AST6028 AST6116 AST6117 AST6118 - - - _8 BRY56A BRY56B BRY56C - - -
SAS (DIAC mit Steueranschluß)
4-Schicht-TriggerDiode (Vierschicht-Diode)	Rückwärts sperrende Thyristordiode, Vierschichtdiode, Einrichtungs-Thyristor-Diode, Kippverhalten nur in einer Richtung,es gibt 2 Typen rückwärts sperrend oder rückwärts leitend, (four-lager-diode) _1 _2 _3
Fotodiode	_1 BPW34,
Feldeffekt-Transistoren, Isolierschicht-FET, Anreicherungstyp N - - -	Unipolare Transistoren, enhancement-MOSFET (SIPMOS), selbstsperrend (off-type), VMOS-Transistoren - - _1 BUZ71A, RFP15N05, MTP15N05, IRFZ22, n-Kanal (n-Gate) - - - _2 BD522 BSS97 60V, 2Ohm, 2A, 10W, S-D-G TO-202 - - - _3 BS170 60V, 5Ohm, 0,5A, 0,85W, TO-92, D-G-S - - - _4 VN46AF 40V, 3Ohm, 2A, 15W, S-G-D, TO-202 - - - _5 VN66AF 60V, 3Ohm, 2A, 15W, S-G-D, TO-202 - - - _6 BS107 200V, 0,12A, TO-92 - - - _7 SK133 - - - _8 VN10KM - - -
SUS ( TriggerDiode mit Steueranschluß))	_
Optokoppler	_1 MOC3040 - - - _2 CNY17F, Isolationsspannung 5,3kV - - - _3 TIL111 - - - _4 FCD806 - - - _6 ILD74 - - -
ECA-Halbleiter Datenbücher	die kostenpflichtige Online-Halbleiter-Datenbank, The Online Semiconductor Data Base,
Feldeffekt-Transistoren, Isolierschicht-FET, Verarmungstyp P ---	Unipolare Transistoren, IG-FET, depletion-MOSFET, p-Kanal (p-Gate), selbstleitend (on-type) - - _1 VP0808M -80V, 5,0Ohm, 0,33A, 1,0W, TO-237 - - - _2 IRF9511 -60V, 1,2Ohm, 3,0A, 20W, TO220AB - - - _3 VP0808M -80V, 5,00Ohm, 0,33A, 1,00W, TO-237 - - -
ECA Online-Halbleiter-Datenbank	Elektronik-Bauteile-Datenbank, Elektronik Bauteile suche, Datenblätter,
Unijunktion-, Unijunction-Transistor, np-Typ	UJT p-Base, Doppelbasis-Transistor nur für Schaltzwecke, np-Typ wird kaum verwendet, _2 2N6114 - - _3 D5K1 - - _4 TUI1 - -
Unijunktion-, Unijunction-Transistor, pn-Typ	UJT n-Base, Doppelbasis-Transistor nur für Schaltzwecke, _1 2N2646 2N2647 pn-Unijunction, B1-E-B2, TO-18 - - _2 2N4870 2N4871 - - _4 BB11 - - _5 BSV56A - - _6 25H24 - -
Feldeffekt-Transistoren, Isolierschicht-FET, Verarmungstyp D ---	Unipolare Transistoren, depletion-MOS-FET mit Doppelgate (G1 und G2), Dual-Gate-MOSFET - - _1 BF981, BF961, n-Kanal, (85795X-1 elex) - -
SBS (DIAC mit Steueranschluß)
PUT = programmierbarer UJT	PUT = programmierbarer Unijunction Transistor, dual-Gate, doppel-Gate, (Thyristor-Trioden, 3-Anschlüsse) (Thyristor-Tetrode, 4-Anschlüße) SCRs (Silikon-Kontrollierte Gleichrichter) kann man aus einem npn- und einem pnp-Transistor nachbauen (Ersatzschaltbild) - - _1 2N6027 - - _2 2N6028 - - _3 2N6027G - - _4 NTE6402 - - _5 2N6028 - - _6 BRY39, K-Gk-Ga-A, TO72 - - _7 BRX46 - - _8 2N6027 - - _9 2N6028 - - _0 2N6027, 2N6116, 2N6119 - -
Feldeffekt-Transistoren, Isolierschicht-FET, Verarmungstyp N ---	Unipolare Transistoren, IG-FET, depletion-MOSFET, n-Kanal (n-Gate), selbstleitend (on-type) _1 BUZ10A, BUZ11, BUZ20, RFP15N05, Uds=50V, I=20A, P=75W, G-D-S, TO-220AB - - - _2 BUZ10A 50V, 0,1Ohm, 12A, 45W, TO-220 - - - _3 BUZ11 50V, 0,04Ohm, 28A, 75W, TO-220AB - - - _4 BUZ71 50V, 0,10Ohm, 12A, 40W, TO-220AB - - - _5 VN0808M 80V, 4,0Ohm, 0,4A, 1,0W, TO-237 - - - _6 SMP60N05 50V, 0,023Ohm, 60A, 125W, TO-220AB - - - _7 IRF513 60V, 0,80Ohm, 3,5A, 20W, TO-220AB - - - _8 BUZ15 50V, 0,03Ohm, 40A, 75W, TO-3 = TO204 - - - _9 MTP3055 - - - _0 2N6656, 35V, 1,80Ohm, 2,0A, 25W, TO-3 = TO204 - - - _2 IRF451, 450V, 0,4 Ohm, 10A, 150W, TO-3 = TO204 - - -
DIAC (Dreischicht-Diode) Triggerdiode	DIAC = diode alternating current switch, bidirektionaler Schalter, Zweirichtungs-Diode, 3-Schicht-TriggerDiode, Sperrspannung bis + / - 28..32V, Schaltstrom 200uA, Spitzenstrom bis 2A möglich, 30uS) Zweirichtungs-Diode, symetrische Triggerdiode, bidirektionale Triggerdiode, Zweirichtungs-Diode (entspricht zwei antiparallel geschalteten Z-Dioden), Zweirichtungs-Thyristordiode (Fünfschicht-DIAC) (entspricht zwei antiparallel geschaltete Thyristoren), _1 D30 oder D-30, DO-7 - - - _2 45412 - - - _3 ST2 - - - _4 ER900, 32V, Talspannung 8V, max. 1A, 0,15W, DO-7 - - - _5 BR100 - - - _6 OR100, 32V, max. „W, 0,15W, DO-7 - - -
ECA data	Isolierschicht-FET, IG-FET = Isolated Gate-Field Effect Transistor, isolierter Toranschluß, MOS-FET = Metal Oxid Semiconduktor, Metalloxidschicht FeldeffektTransistor - - - J-FET, junction-FET, Sperrschischt-FET - - - IG-FET = insulated gate-FET, MOS-FET metal-oxide-silicon-FET, S=Source (Stromquelle), D=Drain (Stromabfluss), G=Gate (Gitter), B=Bulk (Substrat) - - - FET = Field Effect Transistor - -
THYRISTOR-Triode (SCR=silicon controlled rectifiers) 2	_1 BRY21, (8N4A00) Kleinthyristor, 80V, 0,5A, Zündstrom 50uA, _2 BRX49, TO-92 - - - _3 BRX46, TIC46, 0,8A, 100V, TO-92 - - - _4 BT100A 6A, 400V, TO-220 - - - _5_6 BRX46, TIC46, 0,8A, 100V, TO-92 - - - _6 BT100A 6A, 400V, TO-220 - - - _7 BSTC1026B - - - _8 BStA3026 - - - _9 BStBo126 - - - _0 BStBo206 - - - _1 BRX47 - - - _2 BYY34 - - - _3 BRX44, 30V, 0,4A, Ih=5mA, A-G-K, TO-92 - - - _4 BRY55/400 - - - _5 BRX47 - - - _6 BstD1040M - - - _7 BRX49, 400V, 0,8A, Igt=5mA - - - _8 BRY39 Tetrode, 70V, 0,25A, Igt=3mA - - -
Feldeffekt-Transistoren, Isolierschicht-FET, Anreicherungstyp P - - -	Unipolare Transistoren, enhancement-MOSFET (SIPMOS), selbstsperrend (off-type), VMOS-Transistoren _1 p-Kanal (p-Gate), _2 BD512 -60V, 4,5Ohm, -2A, 10W, S-D-G, TO-202 - - - _3 BS250 -45V, 14Ohm, -0,5A, 0,83W, D-G-S, TO-92 - - - _5 SJ48 - - -
Fotowiderstand	_1 LDR03, 1000lux, 75..300 Ohm, dunkel 10 MOhm, 6pF, max. 150V, max. 0,2W, _2 LDR05 _3 LDR07 _4 _5
Feldeffekt-Transistoren, Sperrschicht-FET, n-Kanal	Unipolare Transistoren, J-FET, Junction-FET, Drain, Gate, Source, _1 BF245C BF247B BF256C J300 J310 J330 n-Kanal, Uds=30V, I=25mA, P=0,30W, G-S-D, SOT-54, X-55, Rthju=0,25K/mW - - - _2 E300 E310 n-Kanal, Uds=25V, I=30mA, P=0,25W, G-D-S, TO-5 - - - _3 BF244 BF246C 2N3819 n-Kanal, Uds=26V, I=20mA, P=0,20W, S-G-D, TO-92 - - - _4 BC246C, 2N4391 - - -  (STAND 1989)
ECA Data, Elektronik-Bauelemente-Übersicht	Thyristor – Triac – Diac – PUT – UJT – GTO - http://wiki.eca.de/doku.php?id=ecadata.de:deutsch:wertesuche